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          氧含量檢測

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          晶片在生產過程中,原本大氣中O2會和Si產生化學反應得O2+Si=SiO2(二氧化矽)為原始的氧化層,如果管路的氧含量過高,原始的氧化層會超出原本已計算好的厚度,如此會嚴重影響接下來各階段的制程。

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